硅的晶格结构是（），按能带结构划分属于（）。
A.金刚石型，直接带隙半导体B.闪锌矿型，直接带隙半导体C.金刚石型，间接带隙半导体D.闪锌矿型，间接带隙半导体

正确答案：金刚石型，间接带隙半导体

单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。
A.正确B.错误

正确答案：错误

大注入时正向电流的扩散系数相比小注入时增加了一倍的原因是大注入产生的内建电场具有加速少子运输的作用，效果上相当于扩散系数增加一倍。
A.正确B.错误

正确答案：正确

反向截止时，少子漂流形成的漏电流是功耗的一大原因。
A.正确B.错误

正确答案：正确

pn结的净电流为零的原因是pn结中没有电荷的移动。
A.正确B.错误

正确答案：错误

pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。
A.正确B.错误

正确答案：错误

PN结锗管比硅管更容易发生热击穿。
A.正确B.错误

正确答案：正确

考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。
A.正确B.错误

正确答案：错误

PN结雪崩效应和隧道效应引起的击穿统称为电击穿。
A.正确B.错误

正确答案：正确

PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
A.正确B.错误

正确答案：错误

pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（）。
A.体电阻上压降B.势垒区的产生与复合C.大注入条件D.pn结反向击穿

正确答案：pn结反向击穿