实际晶体管等效电路相比本征部分,多出的部分不包括()。
A.基极电阻B.发射极和集电极串联电阻C.发射结和集电结漏导D.栅极本征电容
正确答案:栅极本征电容
实际晶体管等效电路相比本征部分,多出的部分不包括()。
A.基极电阻B.发射极和集电极串联电阻C.发射结和集电结漏导D.栅极本征电容
正确答案:栅极本征电容
流过晶体管结电阻的发射极电流()被集电区接收,流过发射极扩散电容的发射极电流()被集电区接收()。
A.可以,可以B.可以,不可以C.不可以,可以D.不可以,不可以
正确答案:可以,不可以
晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成()发生,基极电流的相位()于发射极电流的变化()。
A.之前,超前B.之前,滞后C.之后,超前D.之后,滞后
正确答案:之后,超前
双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的()。
A.最大值B.最小值C.平均值D.总值
正确答案:平均值
随着BJT工作频率的升高,基区输运系数的幅值(),滞后相移()。
A.减小,减小B.增大,增大C.减小,增大D.增大,减小
正确答案:减小,增大
双极型晶体管的电流增益-带宽乘积指的是()。
A.截止频率B.特征频率C.最高振荡频率D.以上都不对
正确答案:特征频率
考虑BJT有效基区扩展效应,随着发射极电流的增加,晶体管共发射极电流放大系数增大。
A.正确B.错误
正确答案:错误
双极型晶体管做共发射极连接使用时,Early效应能有效调节集电极电流大小,使晶体管工作稳定。()
A.正确B.错误
正确答案:错误
双极型晶体管发射极电流集边效应是指发射结中心部分的电流密度较低,发射极电流主要集中在发射极的边缘部分。()
A.正确B.错误
正确答案:正确
对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。
A.正确B.错误
正确答案:正确
漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。
A.正确B.错误
正确答案:错误
双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。()
A.正确B.错误
正确答案:正确