锗pn结的正向导通电压大约为（）V。
A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7

正确答案：0.3

在一块半导体中同时掺入N型杂质和P型杂质，会发生杂质补偿作用，施主能级和受主能级上的电荷先相互抵消，剩下的电荷才能成为导电粒子。
A.正确B.错误

正确答案：正确

闪锌矿型结构和纤锌矿型结构都是正四面体结构，其中闪锌矿型结构具有六方对称性，纤锌矿型结构具有立方对称性。
A.正确B.错误

正确答案：错误

如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。
A.变大，变大B.变大，变小C.变小，变大D.变小，变小

正确答案：变小，变大

下列关于复合中心的说法中，错误的是（）。
A.复合中心的重要作用是促进非平衡载流子的复合B.复合中心的存在会降低少数载流子的寿命C.通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小D.复合中心能级一般在禁带中央附近

正确答案：通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小

下列关于费米能级的说法错误的是（）。
A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远

正确答案：N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是（），离（）近。
A.施主能级，导带底B.施主能级，价带顶C.受主能级，导带底D.受主能级，价带顶

正确答案：受主能级，价带顶

下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。
A.硅是间接带隙半导体B.禁带宽度具有负的温度系数C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eVD.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负

正确答案：室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV

设N个硅原子排列起来结合形成硅晶体，根据不相容原理，原来属于N个单个原子的相同价电子能级必定分裂成属于整个晶体的N个能级，可以容纳的电子数为（）。
A.NB.2NC.N2D.8N

正确答案：2N

半导体电阻率的温度系数为（），金属电阻率的温度系数为（）。
A.正，正B.正，负C.负，正D.负，负

正确答案：负，正

对于金刚石结构，原子面密度最大和最小的面密勒指数分别是（）。
A.(100)，(111)B.(111)，(100)C.(111)，(110)D.(100)，(110)

正确答案：(111)，(100)

金刚石结构是由两个（）结构沿空间对角线错开四分之一长度互相套构而成。（）
A.简单立方B.面心立方C.体心立方D.闪锌矿

正确答案：面心立方